GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model - Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials - Chauhan, Yogesh Singh (Chair Professor, Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, India) - Libros - Elsevier Science Publishing Co Inc - 9780323998710 - 22 de mayo de 2024
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Chauhan, Yogesh Singh (Chair Professor, Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, India)
GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using The ASM-HEMT Model - Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials

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425 pages, 200 illustrations (150 in full color); Illustrations, unspecified

Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Publicado 22 de mayo de 2024
ISBN13 9780323998710
Editores Elsevier Science Publishing Co Inc
Páginas 260
Dimensiones 230 × 152 × 18 mm   ·   353 g
Lengua Inglés  

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