High Power Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) Drivers: Design and Applications - Zhiyuan, He, PhD (China Electric Power Research Institute Co., Ltd, China) - Libros - Elsevier - Health Sciences Division - 9780443526558 - 1 de noviembre de 2026
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Zhiyuan, He, PhD (China Electric Power Research Institute Co., Ltd, China)
High Power Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) Drivers: Design and Applications

Precio
Mex$ 3.825
sin IVA
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Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Pendiente de lanzamiento 1 de noviembre de 2026
ISBN13 9780443526558
Editores Elsevier - Health Sciences Division
Páginas 500
Dimensiones 150 × 220 × 10 mm   ·   450 g

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