Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties - Engineering Materials - Hamid Bentarzi - Libros - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642266881 - 25 de febrero de 2013
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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties - Engineering Materials 2011 edition

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This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure.


120 pages, 10 black & white tables, biography

Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Publicado 25 de febrero de 2013
ISBN13 9783642266881
Editores Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Páginas 106
Dimensiones 155 × 235 × 6 mm   ·   176 g
Lengua Inglés  

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