Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - Libros - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642270185 - 27 de noviembre de 2013
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Koichiro Ishibashi
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

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Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

Medios de comunicación Libros     Paperback Book   (Libro con tapa blanda y lomo encolado)
Publicado 27 de noviembre de 2013
ISBN13 9783642270185
Editores Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Páginas 144
Dimensiones 155 × 235 × 8 mm   ·   226 g
Lengua Alemán  
Editor Ishibashi, Koichiro
Editor Osada, Kenichi

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